摘要：在芯片微细化和互连多层化趋势下，化学机械抛光（Chemicalmechanicalpolishing，CMP）成为集成电路制造的核心技术。针对300mm晶圆CMP装备被极少数国外厂家垄断、国内300mm晶圆CMP装备水平远远落后的现状，开展300mm晶圆CMP装备关键技术研究。研制出300mm晶圆多区压力抛光头及其压力控制系统，该抛光头具有多区压力、浮动保持环及真空吸附等功能，每个腔室均可实现施加正压、抽负压、通大气和泄漏检测；压力控制系统性能测试结果表明，该系统可实现689．5Pa的超低压力，其精度和响应速度均能满足常规压力及超低压力CMP的要求；开发了300mm晶圆超低压力CMP样机，创建出一套比较稳定、可靠的工艺流程，并利用该样机初步开展铜CMP试验研究。试验结果表明：抛光压力为15．169kPa时，材料去除率达671.3nm／min，片内非均匀性为3．93％。

关键词：300 mm晶圆 抛光头 多区压力 超低压力 

单位：清华大学摩擦学国家重点实验室 北京100084