摘要：随着超大规模集成电路的发展，特征尺寸由目前的22nm逐渐减小至14nm。为了克服由此引发的的一系列问题，铜互连结构发生了巨大变化，包括使用钌替代钽／氮化钽作为阻挡层，使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互连结构对后段制程的化学机械抛光技术提出了新的挑战，本文针对这些挑战开展了系统的研究。

关键词：超大规模集成电路 化学机械抛光 特征尺寸 制程 纳米 

单位：清华大学