摘要:采用直流反应磁控溅射法,用Al含量为2%的Zn/Al合金靶材,室温下在玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜样品.在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到不同的薄膜厚度,研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构.电阻率为5.1×10^-4Ω·cm,平均透射率达到88%.
关键词:直流反应磁控溅射 zao薄膜 厚度 光电性能
单位:平顶山学院物理学与电气信息工程学院; 河南平顶山467002; 重庆师范大学物理学与信息技术学院; 重庆400047
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社