摘要：通过溶胶一凝胶法制备了Tb^3＋、Ga^3＋共掺杂的SiO2发光材料，利用红外光谱、X射线衍射仪对其结构进行表征，通过三维、激发光谱和发射光谱对其发光性质进行分析．结果表明：经过700℃退火处理后的材料，其红外光谱只显示O～Si-O键的存在，表踢水和有机物已完全除去；用544nm作为监测波长测得的激发光谱符合三价稀土离子的激发规律；在230nm光激发下得到4条Tb^3＋的特征发射谱带，分别是467nm（^5D3-^2F6），492nm（^5D4～^7F6），544nm（^5D4-^7F5），583nm（^5D4-^7F4），且来自^5D3的跃迁在高温时由于交叉弛豫而猝灭；只掺杂Ga^3＋的材料在460am处发出强烈蓝光。Tb^3＋、Ga^3＋共掺杂SiO2材料在460nm处蓝光急剧减弱，而对发光中心Tb^3＋544nm处的^5D4-^7F5跃迁和492nm处的^5D4-^7F6跃迁均有促进作用．此外，还分别研究了不同Ga^3＋或Tb^3＋的掺入量、退火温度对材料发光性质的影响．

关键词：发光性质 

单位：内蒙古师范大学化学与环境科学学院 内蒙古呼和浩特010022