摘要：电势诱导衰减（potential induced degradation,PID）效应是导致光伏组件输出效率下降的主要原因之一。为了研究PID太阳电池前表面非平衡载流子复合特性,该论文首先分析PID太阳电池表面能带及电场变化情况,利用连续性方程以及电流密度方程建立PID太阳电池表面复合速度S_（pPID）与短波内量子效率（internal quantum efficiency,IQE（λ））之间的数学模型。其次,通过利用太阳电池常用计算模拟软件PC1D模拟在不同工艺条件下晶体硅太阳电池IQE（λ）,并且采用所构建的数学模型计算PID效应太阳电池前表面复合速度S_（pPID）,与未发生PID效应时前表面复合速度S_p以及I-V特性曲线进行对比。结果表明,利用短波IQE（λ）测量PID太阳电池前表面复合速度S_（pPID）时,波长选择范围在310~360 nm之间误差较小;当太阳电池发生PID效应,前表面复合速度增大,前表面杂质浓度低、钝化效果好的太阳电池输出I-V特性下降,对钝化效果差、表面掺杂浓度高的太阳电池输出I-V特性影响较小。论文的研究结果为制备抗PID效应组件提供理论基础。

关键词：模型 波长 太阳能电池 pid 前表面复合速度 

单位：云南师范大学太阳能研究所; 昆明650500