摘要：目的优化HepG2细胞电转染条件，进一步提高HepG2细胞的转染效率。方法采用电穿孔方法将pcDNA3．1-EGFP导入HepG2细胞中，在500μL电转染体系中，在不同电场强度、细胞数目、脉冲频率、脉冲时间、电转质粒数目、电转缓冲液、培养基血清浓度条件下，分别将pcDNA3．1-EGFP质粒电转染HepG2细胞，检测不同条件下细胞存活率和转染率。结果电转前4℃孵育电转体系混合液10min，方波电转条件在1个电脉冲、电压270V、细胞数为2×10^6个、质粒20μg、脉冲时间20ms、电转缓冲液为优化缓冲液、电转后置于37℃、含15％FBS的DMEM高糖培养基中培养48h，可获得高转染率（60．68±1．87）％。结论优化电穿孔法的电转染条件能够有效提高HepG2细胞的电转染效率。本研究为外源基因电转染HepG2细胞提供了可靠的试验参数。

关键词：电转染 hepg2细胞 转染效率 pcdna3 

单位：贵阳医学院分子生物学重点实验室 贵阳550004