摘要：采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a—Si：H(Er))样品，进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理，获得了不同的Si悬挂键(Si—DBs)密度，并在此基础上研究了Si—DBs密度改变对其Er光荧光(Er—PL)的影响，退火温度低于350℃时，Er—PL强度持续增加，但Si—DBs密度的变化显得较复杂；350℃以上时，Er-PL强度随Si—DBs密度的增加而减小，在200—250℃的退火温度范围内，Si—DBs是由于结构弛豫而减少；在250—500℃的退火温度范围内，可能由于Si—H键的断裂释放出氢，导致Si—DBs的增加，因为Er^3+的辐射跃迁取决于基体中Er^3+的结构对称性，所以Er—PL强度相对于Si—DBs的增加而出现的同向增加现象可能起因于退火引起Er^3+化学环境的改变，不同于被广泛接受的“缺陷相关俄歇激发”模型。

关键词：退火处理 铒掺杂 氢化非晶硅 悬挂键 光致荧光 

单位：北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室，北京100022; 金泽大学电子、电气与计算机工程系，金泽920-8667，日本