摘要：在密度泛函理论的基础上，对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算，得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构．其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9．748eV，因此是可能存在的．但与他人计算的Ga3N3和Ga5M相比，Ga6N6团簇可能不属于“幻数”团簇．最稳定结构的Ga6N6团簇的费米面是部分占有的，能量为EF=-5．2972eV，因此具有“金属性”，但没有自旋磁矩．我们还计算了该结构的Ga6N6团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能．这将有助于对GanNn团簇系列的结构和性质随n变化的研究．

关键词：氮化镓 团簇 密度泛函理论 第一性原理 电子结构 

单位：同济大学玻耳固体物理研究所，上海200092