摘要：用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga，Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响．计算结果表明代替Oa位的Mn原子的自旋按铁磁序排列．Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变．Mn分布无序使空穴的局域性加强．总能计算结果表明(Ga，Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇．

关键词：稀磁半导体 密度泛函理论 电子结构 赝势平面波 载流子诱导 

单位：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海200083