在“神光Ⅱ”激光装置上，利用首轮基频激光打靶实验，采用标准腔靶，通过软X射线谱仪测量腔的辐射温度，通过XRD测量。射线角分布；通过缩短腔靶提高腔的辐射温度，研究“神光Ⅱ”装置所能达到最大的辐射温度；在标准腔靶中部诊断口接输运管即T形靶，研究辐射输运的输运效率．根据能量守恒定律和热波的自相似解，提出辐射输运的简化模型，并对...
采用光线追踪和光路函数的方法，优化设计了具有超环面镜的前置光学系统的掠入射软x射线平场谱仪，得到了谱仪的谱分辨和空间分辨本领．波前像差理论和光线追踪程序得到结果均表明，优化设计后的软x射线平场谱仪系统在波长为4—45nm的光谱范围内具有很好谱分辨能力(λ／△A>1000)和空间分辨能力(优于40μm)．
制备出了长径比为25：1的Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5大块非晶合金棒．测定了该非晶合金的热膨胀系数，研究了结构弛豫对该合金的硬度和膨胀性能的影响．通过热膨胀法测定了该非晶合金适合于超塑性变形的温度范围，进行了该大块非晶合金的超塑性变形．
利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeVSi离子轰击siO2产生的Si^+二次离子动能分布和溅射产额,实验发现，当入射离子能量在1-2Mev时，溅射产额随离子能量上升而下降，这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释；当入射离子能量高于3MeV时，溅射产额随离子能量上升而增加，电子溅射机理开始占主要地位，并且溅射规律与热峰模型的预期符合．通过对实...
利用各种实验手段对Ni52Mn24Ga24单晶中马氏体变体的择优取向进行了表征．针对金相观察、磁场干预的相变应变、磁感生应变等实验结果，分析了马氏体相变过程变体自发择优取向和磁诱导择优取向的机理．根据不同方向磁场干预相变应变的结果，计算了Ni52Mn24Ga24单晶中等效取向内应力的大小约为2．45MPa．从变体择优取向造成的有效弹性和磁畴分布两...
对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3(x=0—1．0)多晶样品的结构和输运性质系统研究的结果．实验表明，在低掺杂浓度下，样品呈现完整的正交钙钛矿结构；随掺杂浓度的增加，有少量CeO2杂相出现，同时伴随有Ce^3+和Ce^4+离子两种价态的涨落和Mn^2+/Mn^3+/Mn^4+混合价态的共存，Ce掺杂导致的体系无序度增加，使得绝缘体-金属(I-M)和顺磁-铁磁(...
系统地研究了离子半径不同的Ba，Ce，Y作为填充原子及Fe，Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCO4-xSb12晶格热导率的影响规律．结果表明：在skunemdite结构的sb组成的20面体空洞中，Ba，Ce，Y的填充原子能显著降低其晶格热导率，且晶格热导率降低幅度按Ba，Ce，Y离子半径减小的顺序而增大．Sb组成的20面体空洞部分被Ba，Ce填充时，晶格热导率最小，...
用固相反应法和脉冲电流直接通电烧结法制备了cosb3/C60复合材料，其组分通过粉末x射线衍射法确定，SEM分析表明C60颗粒是均匀地分布在CoSb3基体中．在300—800K范围内测量了材料的电导率、赛贝克系数和热导率，研究了纳米颗粒的尺寸和分布状态对复合材料热电性能的影响．外加的C60纳米颗粒在高温时降低了复合材料的晶格热导率，而对电传输性能...
用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃...
采用Montecado方法对多隧道结型、对称陷阱型和环型等三种不同结构的单电子动态存储器进行了数值模拟，分析了电容、温度等因素对存储器存储时间的影响，发现在相同条件下环型和对称陷阱型存储器一般要比多隧道结型存储器的存储时间长．
在测量分子结的伏．安特性时，电极可以由不同维度的电子体系构成．在弹性散射格林函数理论基础上，发展了研究分子结电输运性质的理论方法，并着重研究了电极维度对分子结伏一安特性的影响．选择1，4．苯二甲硫醇分子作为例子，定量地计算了不同维度的电极下分子结的伏-安特性曲线．计算结果表明，不同维度电子体系的电极给出的分子结伏．安特...
研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的电学性质．发现对于不同C-Fx含量的薄膜，C==C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响．薄膜的直流I-V，特性呈现I=aV+bV规律，是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程．由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关，而a-C：F薄膜中C==C...
通过变温(10—300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(hi)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程．在晶界势垒模型的基础上，发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度，载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的．从获得的InN薄膜晶界势垒高度，可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度，结果与显微拉曼散射实验结果相一致...
考虑交换作用有效场的影响，计算了外磁场沿着[100]和[111]方向Er3Gas0一：的磁化强度，得到了与实验较符合的结果，证明在Er3Ga5O12中，超交换作用是不可忽略的因素。
用射频磁控溅射制备了Fe-Ni薄膜，研究了薄膜成分、溅射条件及热处理温度对薄膜结构和磁性的影响．通过选择适当的溅射条件和热处理温度，可得到适合于磁头材料应用的高饱和磁化强度的Fe-Ni软磁薄膜．
用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga，Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响．计算结果表明代替Oa位的Mn原子的自旋按铁磁序排列．Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变．Mn分布无序使空穴的局域性加强．总能计算结果表明(Ga，Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇．
在线非接触测试巨磁电阻效应对磁电子器件的工业化生产具有重要的意义．用红外光谱研究了(CoFe)1-xAgx颗粒薄膜的磁折射效应，研究表明在红外波段，一级近似可以认为巨磁电阻比值与磁折射变化率成正比，可以利用磁折射效应作为在线非接触工具测量与自旋散射相关的巨磁电阻效应．
报导了Yb：FAP和Yb：C3S2-FAP晶体在不同温度下的吸收光谱和荧光光谱实验结果，研究发现由于电子-声子近共振耦合作用。Yb：FAP和Yb：C3S2-FAP晶体均存在有明显的振动谱，Yb：FAP晶体的零声子线在低温下还劈裂为相差10cm^_1的两条线．采用激光选择激发技术研究了Yb^3+离子在FAP和C3S2-FAP晶体中的格位特征，结果表明Yb^3+离子在这两种基质中都只...
用时域方法测量了掺钇(Y)钨酸铅(PWO：Y)单晶的非线性介电常数．在不高于150℃和不太高的外电场中，晶体具有良好的绝缘性．其静态介电常数高达3．94×106，比铁电体居里点上的介电常数峰值要高得多·时域谱分析表明，这种极化性质是由晶体中各种荷电缺陷的局部位移所提供的．时域方法可定量分析晶体中缺陷的含量·
从具有非均匀力学和电学性质的空间电荷型压电双层膜系的模型出发，导出了其压电如系数的数学表达式．以具有优异电荷储存能力的聚四氟乙烯(PIFE)膜作为“刚”性储电层，和呈现高弹性顺度的偏氟．四氟乙烯和六氟丙烯共聚物P(VDF：TFE．HFP)膜作为“柔”性层形成了具有非均匀力学和电学性质的P(VDF．1T'E．HFP)，FIFE驻极体压电双层膜．利用准静...
把用于计算正方晶格的快速平面波方法，经修正使之适用于计算长方晶格光子晶体的带结构，数值分析了一种具有稳定的较大完全禁带宽度的GaAs三角晶格光子晶体结构，这种三角晶格原胞可以用一个矩形(晶格常数为a，b，且a>b)单胞来处理，经优化得到完全禁带宽度为△ω=0．1364ωe(ωe=2nc／a，a为晶格常数，c为光速)，中心频率为ωmid=1．0444ωe，禁带...
采用高温热解法，以二茂铁，乙二胺有机溶剂为前驱液制备CNx纳米管过程中，改变前驱液配比，对860℃，不同二茂铁含量条件下制备出的CNx纳米管进行了产量统计、形貌结构观察和拉曼光谱研究。结果显示：随着前躯液中二茂铁含量的相对增大，不但CNx纳米管产量随之增加，而且产物中“竹节状”结构纳米管相对“中空”结构纳米管的比重也增大；拉曼光...
利用Nd：YAG锁模序列脉冲激光(1064nm)抽运充有高压H2的拉曼池，输出光束经棱镜分光后投射在屏上，在可见光及近紫外光区用彩色腔卷摄得15个受激拉曼散射光斑；经1m光栅摄谱仪摄谱，在365--605nm波长范围内得到65条受激拉曼谱线．通过实验结果与理论计算值的比较．证明除了H2的振动拉曼频移量4154．6cm^-1外，还有多个振动及转动拉曼频移量共同...
用拉曼散射谱研究以SiCh／H2为气源，用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术，在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征．结果表明，薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物，随射频功率增加，晶相结构的成分增大．另一方面，深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大．因此可以认为...
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土(Pr，Dy，Sc)离子的化学掺杂．用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌，用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况．利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性，发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射，尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射，其强度可与多孔硅的红光强度相比较，适当的Pr和Sc...
研究了Yb^3+掺杂铝氟磷酸盐(AFP)玻璃的吸收光谱、荧光光谱，测量了Yb3’离子的荧光有效线宽(△Ax>55rim)以及。B。能级的荧光寿命(rmax=2ms)及随掺杂浓度的变化．应用倒易法计算了Yb^3+的发射截面，其发射截面可达0．66823pm2，且激光增益系数.达1．289ms．pm。．评估了Yb“在AFP玻璃中的激光性能，发现其具有较理想的激发态最小粒子数(0．15)...
用水解加热法制得的纳米ZnO粉末，并将ZnO粉末用电泳法淀积在二氧化硅玻璃衬底上，综合地研究了当衬底温度发生变化时ZnO薄膜的电学光学特性的变化规律．x射线图片显示ZnO薄膜在自然状态下是纤锌矿结构，薄膜在衬底温度663K时有最小的电阻率6．9x10^-2Ωcm和83％的高透过率．
用Monte Carlo模拟方法，分析了PKA原子和SKA原子对同位素(溅射)富集度的贡献。对于低能零剂量^63Cu0.5^65Cu0.5溅射，同位素富集度是SKA原子的动量不对称性贡献．对于低能零剂量^92Mo0.5^100Mo0.5溅射，是PKA原子的动量不对称性贡献．
基于小波变换的特征信息的提取和神经网络的自学习能力研究了薄膜场发射的特性，结合阴极薄膜场发射的特点，建立了薄膜场发射开启电场的小波神经网络预测模型．并用金刚石薄膜场发射开启电场数据进行了验证，结果表明该模型预测的相对误差小于1．30％．这一结论预示着小波神经网络是一种研究薄膜场发射特性的方法·
以高纯石墨作靶、CHF3／At作源气体采用反应磁控溅射法制备了介电常数在1．77左右的氟化类金刚石(pDLC)薄膜．拉曼光谱表明，源气体中CHF3相对流量、射频功率和工作气压的增加都会引起薄膜的D峰与G峰强度之比，。／I。减小，薄膜中链式(烯烃)结构比例的上升．红外吸收光谱分析表明薄膜的主体骨架仍为芳香环式结构‘薄膜的性质如光学带隙和介电常...
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