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用SiCl4.H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析

林璇英; 黄创君; 林揆训; 余运鹏; 余楚迎; 黄锐 物理学报 2004年第05期

摘要:用拉曼散射谱研究以SiCh/H2为气源,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术,在200℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征.结果表明,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物,随射频功率增加,晶相结构的成分增大.另一方面,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大.因此可以认为,在多晶硅薄膜生长的最初阶段,空间反应过程对低温晶化起重要作用·

关键词:拉曼散射光谱多晶硅薄膜晶体结构射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术晶化度

单位:汕头大学物理系,汕头515063

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