摘要：报道了用半绝缘GaAs光电导开关产生电压幅值稳定、ps量级时间晃动超快电脉冲的实验结果．分别用ns，ps和fs激光脉冲触发GaAs光电导开关的结果表明，在低电场偏置下，电极间隙为1mm的GaAs光电导开关可以产生触发时间晃动小于10ps、电压幅值变化小于1．2％、亚ns量级脉冲宽度的稳定超短电脉冲．分析了触发光脉冲能量起伏对光电导开关产生超快电脉冲电压幅值的影响，指出通过控制光电导开关的触发条件和对开关的优化设计，就可以获得电压幅值稳定、时间晃动在ps量级的超快电脉冲．

关键词：光电导开关 超快电脉冲 电压幅值稳定性 时间晃动 砷化镓半导体 

单位：西安理工大学应用物理系，西安710048; 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室，西安710068