摘要：研究了以金属铜六边形开口谐振环为基元的二维负磁导率材料的缺陷效应．利用电路板刻蚀技术制备了二维负磁导率材料样品．采用波导法测量了点缺陷和线缺陷对二维负磁导率材料X波段(8-12GHz)微波透射行为的影响．实验发现，无缺陷的二维负磁导率材料样品存在一个谐振频率，在稍大于该谐振频率的极窄区域内表现为负磁导率．点缺陷和线缺陷SRR的引入导致材料主谐振峰的强度下降、谐振频率发生移动，品质因数Q显著下降．缺陷的存在破坏了材料的周期性结构，从而引起其谐振峰的谐振强度和谐振频率发生变化．缺陷效应的研究不仅对了解微波段负磁导率材料的行为特征是非常重要的，而且对可见光及红外波段负磁导率材料的实现具有重要的指导意义．

关键词：谐振频率 缺陷效应 谐振峰 刻蚀技术 品质因数q 

单位：西北工业大学电流变技术研究所，应用物理系，西安710072