摘要：理论计算和分析了微波圆柱同轴谐振腔高阶横磁(TM)模式的系列关联参数.研究发现:与圆柱腔相比,同轴谐振腔的TMn10模式有较大的模式间隔,即工作模式能够远离非工作模式的干扰,这有利于保持器件稳定的频率和功率;在保持腔长不变、腔横截面外半径取特定值时,腔内电场峰值位置的轴向特性阻抗随内径的变化存在极大值;在高频段可以采用任意大横截面的腔体结构和任意阶的模式.计算结果与仿真结果相一致.

关键词：高阶横磁模式 圆柱同轴谐振腔 特性阻抗 多注速调管 

单位：中国科学院电子学研究所; 北京; 100080; 中国科学院研究生院; 北京; 100039; 内蒙古科技大学数理系; 包头; 014010; 中国科学院电子学研究所; 北京; 100080; 中国科学院电子学研究所; 北京; 100080; 中国科学院研究生院; 北京; 100039