摘要：采用Tersoff势对SiC驰豫性能进行了分子动力学模拟．模拟了SiC在驰豫过程中的动态平衡变化过程，研究了表面效应和小尺寸效应对原子位置，原子能量分布的影响．模拟结果表明，SiC纳米杆受表面效应和小尺寸效应的影响很大。在不加外载和约束的情况下，出现了不同于宏观SiC杆的弯扭屈伸现象，最终形成了带有一定扭转弯曲量、总能量达到最低的稳定状态．

关键词：sic纳米杆 分子动力学 表面效应 小尺寸效应 

单位：湖南大学汽车车身先进设计制造国家重点实验室; 长沙410082; 湖南大学力学与航空航天学院; 长沙410082