摘要：在得到SiO分子基态稳定构型的基础上,选用B3P86/6-311＋＋g（d,p）方法优化得到了不同外电场（-0.03—0.03a.u.）下SiO分子基态的稳定电子结构,研究了外电场对SiO分子基态键长、能量、电荷分布、能级分布,能隙及红外光谱的影响规律.结果表明,分子结构与电场呈现强烈的依赖关系,且对电场的方向依赖呈现出不对称性.同时在正向外电场逐渐增大的过程中,SiO分子能隙始终处于减小趋势,占据轨道的电子易于激发至空轨道,因而为研究材料的电致发光机理奠定了一定的理论基础.

关键词：sio 外电场 激发 

单位：河南师范大学物理与信息工程学院; 新乡453007; 四川大学原子与分子物理研究所; 成都610065