摘要：基于作者构造的He-HBr体系的各向异性势,采用密耦方法计算了3He,4He,6He和7He与HBr分子在碰撞能量分别为40和75meV时的微分截面,详细讨论了入射氦同位素对微分截面的影响.结果表明：在相同碰撞能量时,随着同位素氦原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大,同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;弹性与总非弹性截面交界角逐渐减小,总非弹性截面逐渐增加.碰撞能量越低,入射同位素He原子的质量越大,彩虹现象越明显.

关键词：同位素效应 微分截面 各向异性势 

单位：安庆师范学院物理与电气工程学院 安庆246133 贵州师范大学理学院 贵阳550001 四川大学原子与分子物理研究所 成都610065