摘要：在周期性边界条件下的k空间中，采用基于密度泛函理论的第一性原理广义梯度近似方法，对建立的规则对称型结构（A）、周期性非对称型结构（B）、周期性非对称型结构（C）、不规则型结构（D）四种可能的Si（001）表面硅氧团簇的结构模型进行了优化计算．结果表明优化后的表面结构呈无定形状，并且优化后的B，C，D三种模型的表面结构具有类似SiO2的四面体结构的几何特征．此外，通过电子局域函数图以及Mulliken布居分析发现硅氧团簇中的Si-O键既有明显的离子键成分，也有一定的共价键成分．

关键词：硅氧团簇 密度泛函理论 第一性原理 

单位：四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室 成都610068 四川师范大学物理与电子工程学院 成都610068 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都610054