摘要：利用传输矩阵和散射矩阵方法，具体计算了单通道和双通道结构完美相干吸收效应的产生条件，并分析了其之间的相关性．结果表明，单、双通道结构各自都有大量可选条件能促使完美相干吸收效应的发生，且在入射波长及其相应介质折射率等参数不变的情况下，双通道完美相干吸收效应产生所对应的介质长度与单通道完美相干吸收效应产生所对应的介质长度具有二倍关系．如波长为756nm的光入射Si介质，完美相干吸收可以在介质长度分别为3．701和7．402um的单通道结构和双通道结构中发生．该研究对促进完美相干吸收效应在光调制、光开关、光学探测等方面应用以及光学通信和计算领域的硅基集成光子器件设计都具有积极意义．

关键词：完美相干吸收 单通道 双通道 介质长度 

单位：南昌大学物理学系 南昌330031 武汉大学物理科学与技术学院 武汉430072