摘要：推导了光束在半导体光折变介质的光子晶格中演化的二能级形式,给出了光束在其中传播时二能级方程的经典正则形式.解析计算出了经典正则方程的不动点并对其稳定性作了分析,计算出了拓扑结构变化的临界值.根据二能级方程的经典正则形式做出了空间相图,进一步分析了半导体光折变介质中光束传输的自囚禁现象,发现有两种形式的自囚禁：1）能级中的布居数差和相对相位都在平衡点附近振动;2）能级中的布居数差在平衡点附近振动,而相对相位单调变化.分别从高频、低频、中频三个方面研究了外加周期调制对自囚禁的影响,发现在高频调制中发生自囚禁现象的相变参数能够被周期场非常有效的调制,使得光束在半导体光折变介质中传输时,在非线性效应影响较小时也能够发生自囚禁.

关键词：半导体光折变介质 自囚禁 二能级形式 周期调制 

单位：济南大学物理科学与技术学院 济南250022