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积分中值定理在放射性氙样品γ谱效率刻度技术中的应用

田自宁 欧阳晓平 曾鸣 成智威 物理学报 2013年第16期

摘要:在实验室HPGe探测器测量分析氙气样品过程中需要用到相对方法进行分析,然而由于放射性氙同位素半衰期较短,制作相应的标准气体比较难,给谱仪系统刻度带来困难.针对该问题,提出使用混合面源模拟刻度四种氙同位素气体源的效率,并提出将积分中值定理应用到面源刻度实验过程,大大简化了中间流程,提高了测量的准确性.利用氙分离纯化系统在高氡环境下采集样品,获得了天然放射性130xe气体y谱,通过计算得到其活度浓度.积分中值位置处的混合面源刻度结果和气体源刻度结果一致,说明本文提出的面源刻度技术及积分中值定理的思想在HPGe探测器效率刻度测量分析中是有效可行的.

关键词:面源无源效率刻度软件效率刻度

单位:清华大学工程物理系 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室 北京100084 西北核技术研究所 辐射探测研究中心 西安710024

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