摘要：基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.然后采用模拟硬件描述语言Verilog-A建立了电容模型.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si集成电路分析、设计提供重要参考.

关键词：应变sin型金属氧化物半导体场效应晶体管 电荷模型 平滑函数 

单位：西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室 西安710071 重庆邮电大学光电工程学院 重庆400065