摘要：本文报道了作者提出的阶梯AlGaN外延层新型AlGaN/GaN HEMTs结构的实验结果.实验利用感应耦合等离子体刻蚀（ICP）刻蚀栅边缘的AlGaN外延层,形成阶梯的AlGaN外延层结构,获得浓度分区的沟道2DEG,使得阶梯AlGaN外延层边缘出现新的电场峰,有效降低栅边缘的高峰电场,从而优化了AlGaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布.实验获得了阈值电压-1.5V的新型AlGaN/GaN HEMTs器件.经过测试,同样面积的器件击穿电压从传统结构的67V提高到新结构的106V,提高了58%左右;脉冲测试下电流崩塌量也比传统结构减少了30%左右,电流崩塌效应得到了一定的缓解.

关键词：表面电场 击穿电压 电流崩塌 

单位：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071