摘要：采用共反应溅射法将Ti添加到La2O3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La2O3比率而言,18.4%的Ti/La2O3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值（22.7）、低D（it）（5.5×10^（11）eV^（-1）·cm^（-2））、可接受的Jg（Vg=1V,Jg=7.1×10^（-3）A·cm^（-2））和良好的器件可靠性.

关键词：ge mos latio 界面质量 k值 

单位：黄冈师范学院电子信息系 黄州438000 华中科技大学光学与电子信息学院 武汉430074