摘要：采用点缺陷线性分布模型，利用能量弛豫方法得到了基于van der Pauw变温霍尔效应测量来确定纤锌矿n-GaN位错密度的新方法。用高分辨率X射线衍射仪测试了两个分别用MOCVD方法和用HVPE方法生长的n-GaN样品，用Srikant方法拟合得到了位错密度。结果表明两种方法高度一致。进一步的研究表明，新方法和化学腐蚀方法的测试结果基本一致，相关拟合参数与采用Rode迭代法精确求解Boltzmann输运方程的理论结果也基本一致。研究还表明，新方法能有效消除施主杂质带和界面简并层对测试结果的影响，测试剔除界面层影响后的整个外延层的刃、螺位错密度，而不是穿透位错密度。该方法适合霍尔迁移率曲线峰位在200 K左右及以下并且峰位明确的各种生长工艺、各种厚度、各种质量层次的薄膜和体材料，具有对迁移率曲线高度拟合，材料参数精确，计算简便、收敛速度快等优点。

关键词：氮化镓 霍尔迁移率 位错密度 rode迭代法 

单位：南昌大学科学技术学院; 南昌330029; 南昌大学材料科学与工程学院; 南昌330031; 上饶职业技术学院机械工程系; 上饶334100; 南昌大学现代教育技术中心; 南昌330031