摘要：采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,利用二氧化碳（CO2）、氢气（H2）、硅烷（SiH4）和乙硼烷（B2H6）作为气源,制备出一系列p型氢化硅氧薄膜.利用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和暗电导测试,研究了不同二氧化碳流量对薄膜材料结构和光电特性的影响,获得了从纳米晶相向非晶相转变的过渡区P层.研究表明：随着二氧化碳流量从0增加到1.2 cm^3·min^-1,拉曼光谱的峰值位置从520 cm~（-1）逐渐移至480 cm^-1.材料红外光谱表明,随着二氧化碳流量的增加,薄膜中的氧含量逐渐增加,氢键配置逐渐由硅单氢键转换为硅双氢键.P层SiO：H薄膜电导率从3S/cm降为8.3×10^-6S/cm.所有p型SiO：H薄膜的光学带隙（Eopt）都在1.82—2.13 eV之间变化.在不加背反射电极的条件下,利用从纳米晶相向非晶相转变的过渡区P层作为电池的窗口层,且在P层和I层之间插入一定厚度的缓冲层,制备出效率为8.27%的非晶硅薄膜电池.

关键词：射频等离子体增强化学气相沉积 过渡区p层 硅氧薄膜 光学带隙 

单位：北京交通大学、发光与光信息技术教育部重点实验室; 北京100044; 石家庄铁道大学数理系应用物理研究所; 石家庄050043; 河北汉盛光电科技有限公司; 衡水053000