摘要：针对氢化非晶硅薄膜晶体管（hydrogenated amorphous silicon thin film transistor，a-Si：H TFT）的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知，a-Si：H TFT的低频噪声特性遵循1/fγ（f为频率，γ ≈ 0.92）的变化规律，主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型（ΔN-Δμ模型），在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时，对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si：H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系，通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si：H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明：局域态在禁带内随能量呈e指数变化，两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×1018和1.26×1018 cm-3·eV-1，特征温度分别约为192和290 K，这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子，为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.

关键词：非晶硅 薄膜晶体管 低频噪声 局域态密度 

单位：工业和信息化部电子第五研究所; 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 广州510610; 华南理工大学微电子学院; 广州510640; 北京大学深圳研究生院信息工程学院; 深圳518005; 南华大学电气工程学院; 衡阳421001