摘要：基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32nm绝缘体上硅静态随机存取存储器（SOISRAMl中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理．结果表明：单核能为200MeV／n的空间离子在60—40nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOISRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转；宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子一空穴对，致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25％和33．3％，进而引起单粒子翻转概率降低，以及在轨错误率下降约80％．发现俘获带质子直接电离作用导致65nmSOISRAM的在轨错误率增大一到两个数量级．

关键词：绝缘体上硅 单粒子翻转 二次电子 能损歧离 

单位：电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; 工业和信息化部电子第五研究所; 广州510610