摘要：基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS（EBCMOS）器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.

关键词：互补金属氧化物半导体 电子轰击增益 微光成像 紫外探测 

单位：中国科学院西安光学精密机械研究所; 中国科学院超快诊断技术重点实验室; 西安710119