摘要：推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模型。模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程，并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模。模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点。描述模型的等效原理、构成和参数提取过程，并在PSIM软件包下建立其等效电路。以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数，并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析。仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性。

关键词：绝缘栅双极性晶体管 模型 psim 开关特性 缓冲吸收电路 

单位：电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系) 北京市海淀区100084