摘要：利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AIGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀.AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820 nm/min与770 nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面.在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当.并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流-电压、电流-输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响.

关键词：激光技术 刻蚀端面激光器 algainas 感应耦合等离子体 

单位：清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室; 北京; 100084