摘要：对准相位匹配砷化镓（GaAs）晶体扩散键合制备方法进行了研究。采用超高真空预键合-高温退火方法,在不同载荷压力条件下,完成了三组准相位匹配GaAs倍频晶体的制备。准相位匹配结构的极化周期长度为219μm,堆叠层数44层,直径18mm,有效通光孔径达到15mm,在通光面未镀膜条件下,最高的基频光与倍频光透射率在30%以上。以主脉冲宽度90ns,拖尾宽度2～6μs的横向激励大气压（TEA）-CO2激光器作为基频光光源,通过调谐基频光波长,在4.63～5.37μm波段内得到了效率大于4%的倍频输出。当基频光波长为10.68μm,主脉冲能量为409mJ,晶体接收基频光功率密度达到3.65MW/cm^2时,得到了单脉冲能量26.9mJ,峰值功率298kW,倍频效率达到6.58%的倍频输出。

关键词：非线性光学 倍频 准相位匹配 砷化镓 

单位：北京工业大学激光工程研究院 北京100124 中国科学院电子学研究所 北京100190