摘要：利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光（PL）谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽（FWHM）的影响。发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs（100）偏〈111〉A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移。

关键词：材料 金属有机化学气相沉积 偏向角 发光强度 半峰全宽 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022