摘要：采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜,在此基础上,以SiC为结构层,利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构.对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀,以获得SiC材料的腐蚀特性.对SiC材料的力学特性进行了研究.深入探讨了退火工艺、薄膜硅碳原子比对SiC薄膜力学特性的影响,同时对薄膜硅碳原子比与制备工艺参数(包括硅烷、甲烷流量)之间的关系进行了实验研究.

关键词：sic mems 谐振器 残余应力检测结构 

单位：北京大学微电子研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室; 北京; 100871