摘要：为有效模拟基于单晶硅材料的微机电器件摩擦副的摩擦磨损状况，设计了一种分离式片上微摩擦测试机构。该测试机构利用微机电系统体硅工艺及键合技术，把加载机构、测试机构、摩擦副以及力传感器集成在一个单一的硅片上。对该机构的测试结果表明：摩擦副之间的静摩擦因数约为0．9，动态摩擦因数随着施加在摩擦副上正压力的变化而变化。

关键词：片上微摩擦测试机构 体硅工艺 键合技术 动态摩擦因数 静态摩擦因数 

单位：北京航空航天大学; 北京100083; 北京信息高技术研究所; 北京100085