摘要：为改善高电阻率硅的电火花线切割可加工性,提出了一种在半导体电镀金属薄膜表面放电的方法（简称进电端放电法）。首先在硅（电阻率为2.1Ω.cm）表面电镀一层铜膜,然后利用铜刷作电极,在铜膜表面进行放电,利用放电形成的高温在硅表面形成重掺杂层,以降低接触势垒。分析了表面重掺杂层的形成机理,制备了硅试件并得到了伏安曲线,结果表明,试件的进电端接触电阻明显减小。最后采用进电端放电法对电阻率为2.1Ω.cm、直径为100mm的硅锭进行电火花线切割试验,加工效率可由12mm2/min提高至30mm2/min。

关键词：电火花加工 硅 接触势垒 接触电阻 

单位：南京航空航天大学; 南京210016