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工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

曹德峰 万小波 邢丕峰 易泰民 杨蒙生 郑凤成 徐导进 王昆黍 楼建设 孔泽斌 祝伟明 表面技术 2013年第01期

摘要:利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。 结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0. 8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小。

关键词:mo薄膜直流磁控溅射工作气压晶粒尺寸微观应力

单位:中国工程物理研究院激光聚变研究中心 绵阳621900 上海精密计量测试研究所 上海201109

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