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基于遗传算法的亚100nm SOI MOSFET模型参数提取

李尊朝; 张瑞智; 张效娟; 林尧 电子学报 2007年第11期

摘要:为了简化亚100nm SOI MOSFET BSIMSOI4的模型参数提取过程,实现全局优化,使用了遗传算法技术,并提出了保留多个最优的自适应遗传算法.该算法通过保留最优个体的多个拷贝,对适应度高和适应度低的个体分别进行诱导变异和动态变异,在进化起始阶段和终止阶段分别执行随机交叉和诱导交叉,既具有全局优化特性,又加速了局部搜索过程,提高了最终解的质量.不同种群数和进化代数条件下的参数提取实例表明,该算法提取精度高、速度快,全局优化稳定性好;适当增加种群数,有利于加速算法的全局收敛过程.

关键词:soi参数提取全局优化模型

单位:西安交通大学电子与信息工程学院; 陕西西安710049; 青海师范大学计算机系; 青海西宁810008

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