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关于半桥电路中抗dV/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案

王定良 电子产品世界 2020年第02期

摘要:作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。

关键词:igbt误触发可靠性

单位:电子科技大学电子科学与工程学院; 四川成都610054

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