摘要：在中小功率半导体器件的参数测试中，不乏一些高压的器件，如何准确稳定地测出这类器件的击穿电压和漏电流是此类仪器最关键的问题之一。解决办法之一是要有个精度高且可程控的电压源作为测试基准源，而市场上输出电压达千伏级的运放器价格昂贵，且购买困难。本文通过普通运算放大器和MOS管构成可程控0～1000V高压运算放大器，并介绍其电路在半导体综合参数测试仪中的应用。

关键词：mos管 击穿电压 高压源 漏电流 精确测量 

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