摘要：系统阐述了基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说的核心论点,即绝缘体表层气体解吸附是导致闪络发生的关键,分析了假说中的阴极三结合点场致电子发射、二次电子崩产生、二次电子发射系数δ、绝缘体表面电荷、绝缘体表面气体解吸附等因素在闪络过程中的作用.

关键词：解吸附 二次电子 场致电子发射 气体 表面电荷 

单位：中国科学院电工研究所; 北京; 100080; 中国科学院研究生院; 北京; 100039; 中国科学院电工研究所; 北京; 100080