摘要：为了研究无机纳米粒子掺杂对聚酰亚胺（polyimide，PI）绝缘性能影响，文中利用原位聚合法制备了PI、10％（质量百分数）的PI／SiO2膜和PI／Al2O3膜，测试了其电导率（表面、体积电导率）、热失重（TGA）以及击穿场强，并得到了方波脉冲电压下耐电晕时间随温度的变化曲线。结果表明：PI／SiO2膜、PI／A1：0。膜、Pl膜的电导率依次降低，而击穿场强则相反；当失重5％时，PI／Al2O3膜和PI／SiO：膜的热分解温度比纯Pl膜分别高了17．5℃和11℃。随着温度的升高，3种薄膜的耐电晕时间都在减小，且2种纳米膜的耐电晕时间都高于纯PI膜；当温度小于210℃时，由于PI／SiO2膜的电导率最高，所以其耐电晕时间最长；当温度大于210℃时，由于PI／Al2O3膜的热导率最高以及热稳定性最好，所以其耐电晕时间最长。无机纳米粒子引入的有机一无机界面以及纳米粒子的高热稳定性是影响PI膜绝缘性能的主要原因。研究为变频电机的匝间绝缘水平的提高提供了理论依据。

关键词：电导率 热失重 击穿电压 方波脉冲 耐电晕 

单位：西南交通大学电气工程学院; 成都610031