摘要：1／f噪声，由于其能够反映器件的质量与可靠性参数，其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1／f噪声源两种较为成熟的理论：迁移率涨落模型和载流子涨落模型，最后介绍了几个1／f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。

关键词：迁移率涨落模型 载流子涨落模型 器件参数漂移 

单位：北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室