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温度循环对键合及芯片烧结性能的影响分析

张锋 谭骁洪 环境技术 2014年第05期

摘要:温度循环针对材料间的热胀冷缩特性,产生蠕动和疲劳损伤效应。半导体器件在温度循环试验过程中封装可靠性随温度循环时间逐步退化。针对一种半导体器件的键合强度、芯片剪切强度、芯片烧结空洞随温度循环次数的退化情况进行了分析。

关键词:温度循环键合强度剪切强度空洞

单位:中国电子科技集团公司第24研究所 重庆400060

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环境技术

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