摘要：区熔法是生长单晶硅的重要方法之一，针对区熔法生长单晶硅过程因多晶硅熔化表面热量不均匀而出现“冷针”的问题，利用有限元法对生长区熔硅单晶进行了数值模拟。区熔法生长单晶硅采用高频感应加热，高频加热线圈是区熔炉最为关键的部件之一，线圈的结构、尺寸直接影响到磁场及焦耳热的分布及熔区形状。基于此，建立了有台阶线圈和无台阶线圈下的两种模型，对比了两种模型下熔区附近磁场分布和焦耳热分布，着重分析了高频加热线圈的台阶对磁场及焦耳热分布的影响。研究结果表明，高频加热线圈的结构会直接影响到熔区附近磁场的分布，进而影响熔区生成的焦耳热分布，线圈台阶可使磁场在熔区附近分布得更均匀，从而有效地解决了“冷针”问题。

关键词：区熔法 线圈台阶 数值模拟 

单位：浙江晶盛机电股份有限公司 浙江上虞312300