摘要：使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。

关键词：阱接触面积 单粒子瞬态 pmos 脉冲宽度 

单位：国防科学技术大学计算机学院 湖南长沙410073 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广东广州510610