摘要：介绍GaAs／AlAs／InGaAs双势垒超晶格薄膜结构的介观压阻效应以及几种基于此效应的新型传感器件。阐述介观压阻效应的四个过程，结合空气桥结构和欧姆接触技术，在[001]晶向半绝缘GaAs衬底上加工出来了GaAs／A1As／InGaAs共振隧穿结构（Resonant tunneling structures，RTS），并对其进行了加压试验研究，发现其介观压阻灵敏度达到2．54×10^-9Pa^-1，是硅压阻灵敏度的一个数量级以上。采用控制孔技术成功加工出了基于RTS的圆膜压力、四梁加速度和仿生矢量水声三种新型纳机电器件，并分别对其进行了压力罐、振动台和水下驻波测试。结果表明圆膜压力传感器具有较好的力电耦合特性；四梁加速度计的压阻灵敏度随RTS两端偏置电压可调，并在微分负阻区具有最大压阻灵敏度；矢量水听器具有良好的“8”字余弦指向性，灵敏度在1000Hz时达到184．6dB，可以实现水平面内的水下声信号探测。

关键词：介观压阻效应 共振隧穿结构 纳机电 

单位：中北大学电子测试技术国防重点实验室 太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原030051