摘要：'超分辨光刻装备项目'通过国家验收国家重大科研装备研制项目'超分辨光刻装备研制'于11月29日通过验收。该光刻机光刻分辨力达到22纳米,结合双重曝光技术后,未来还可用于制造10纳米级别的芯片。中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示,该光刻机在365纳米光源波长下,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。

关键词：光刻分辨力 科学中心 光刻机 脉冲强磁场 超高纯铝 

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