摘要：THz波段位于微波与红外之间，该波段电磁波与物质的相互作用是一个崭新的研究领域．应用THz时域光谱技术研究了两种重要的单晶基片材料(100)MgO和(100)LaAIO3的THz光谱．在0．2—2THz频率范围，得到这两种材料在THz波段的光学参数．结果表明，在THz波段MgO基片材料的折射率n和介电系数ε不随频率的变化而变化，而LaAlO3基片材料的折射率和介电系数随着频率的增加而略有增加．在1THz频率处，测得MgO的复折射率n=3．46+i0．001，复介电系数ε=12．27+i0．06H；LaAlO3的复折射率n=4．78+i0．02，复介电系数ε=22．5+i0．2．在THz波段，LaAlO3基片的介电损耗tanδ约为MgO的5倍，且两者的介电损耗值均小于0．0l，说明MgO和LaAlO3。材料作为高温超导器件基片材料可以工作于THz波段．

关键词：氧化镁 铝酸镧 高温超导体 复折射率 复介电系数 

单位：首都师范大学物理系，北京100037; 美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系，纽约州特洛伊市12180—3590，美国