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外电场作用下MgO分子的特性研究

黄多辉 王藩侯 闵军 朱正和 物理学报 2009年第05期

摘要:采用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311+G(2DF)水平上研究了电场强度为-0.03—0.03a.u.的外电场对MgO基态分子的几何结构、HOMO能级、LUMO能级、能隙、费米能级、谐振频率和红外光谱强度的影响规律.结果表明,在所加的电场范围内,随着正向电场的增大核间距先减小后增大,在F=0.02a.u.时,Re取得最小为0.17397nm;分子总能量不断升高,但增大的幅度呈减小的趋势;EH先增大后减小,在F=0.01a.u.处取得最大,其值为-0.21765a.u;而EL和Eg则始终减小.随着正向电场的逐渐增大,振动频率逐渐减小.外电场对MgO分子的激发能、振子强度及红外振动光谱的位置和强度均有较大影响.

关键词:mgo外电场能隙红外

单位:宜宾学院计算物理重点实验室 宜宾644007 宜宾学院物理与电子工程系 宜宾644007 四川大学原子与分子物理研究所 成都610065

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